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CATÉGORIE 3 — ÉLECTRONIQUE
3A - Équipements, ensembles et composants Note 1: |
Le statut des équipements, dispositifs et composants décrits aux paragraphes 3A001 ou 3A002 autres que ceux décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.10., 3A001.a.12. ou 3A001.a.13., qui sont spécialement conçus pour ou qui présentent les mêmes caractéristiques fonctionnelles que d'autres équipements, est déterminé par le statut de ces autres équipements. |
Note 2: |
Le statut des circuits intégrés décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.9., 3A001.a.12. ou 3A001.a.13., qui sont programmés ou conçus, de façon non modifiable, pour une fonction spécifique pour d'autres équipements, est déterminé par le statut des autres équipements. N.B.: |
Lorsque le fabricant ou le demandeur de la licence ne peut déterminer le statut de ces autres équipements, le statut des circuits intégrés est déterminé aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.9., 3A001.a.12. et 3A001.a.13. |
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3A001 - Biens électroniques, comme suit:
a. | Circuits intégrés d'usage général, comme suit: Note 1: |
Le statut des plaquettes (finies ou non finies) dans lesquelles la fonction a été déterminée doit être évalué en fonction des paramètres de l'alinéa 3A001.a. |
Note 2: |
Les circuits intégrés comprennent les types suivants: — | «circuits intégrés monolithiques»; |
— | «circuits intégrés hybrides»; |
— | «circuits intégrés à multipuces»; |
— | «circuits intégrés à film», y compris les circuits intégrés silicium sur saphir; |
— | «circuits intégrés optiques»; |
— | «circuits intégrés tridimensionnels». |
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1. | Circuits intégrés conçus ou prévus comme circuits résistants aux radiations pour supporter un des éléments suivants: a. | une dose totale de 5 × 103 Gy (silicium) ou plus; |
b. | un débit de dose de 5 × 106 Gy (silicium)/s ou plus; ou |
c. | une fluence (flux intégré) de neutrons (1 MeV équivalent) de 5 × 1013 n/cm2 ou plus sur le silicium, ou son équivalent pour d'autres matériaux; Note: |
L'alinéa 3A001.a.1.c. ne vise par les métal-isolant-semi-conducteurs (MIS). |
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2. | «Microcircuits microprocesseurs», «microcircuits micro-ordinateurs», microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et «circuits intégrés optiques» pour le «traitement du signal», dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit: a. | prévus pour fonctionner à une température ambiante supérieure à 398 K (125 °C); |
b. | prévus pour fonctionner à une température ambiante inférieure à 218 K (– 55 °C); ou |
c. | prévus pour fonctionner dans toute la gamme de températures ambiantes comprise entre 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C); |
Note: |
L'alinéa 3A001.a.2. ne vise pas les circuits intégrés destinés aux automobiles ou aux trains civils. |
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3. | «Microcircuits microprocesseurs», «microcircuits microcalculateurs» et microcircuits de microcommande, fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé et fonctionnant à une fréquence d'horloge supérieure à 40 MHz; Note: |
L'alinéa 3A001.a.3. comprend les processeurs de signaux numériques, les processeurs matriciels numériques et les coprocesseurs numériques. |
Note technique:
Les 'mémoires non volatiles' sont des mémoires qui conservent les données pendant une certaine période de temps après l’arrêt de l’alimentation électrique. |
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5. | Circuits intégrés convertisseurs analogique-numérique (CAN) et numérique-analogique (CNA), comme suit: a. | CAN présentant l'une des caractéristiques suivantes: N.B. |
VOIR ÉGALEMENT 3A101 |
1.
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résolution de 8 bits ou plus mais inférieure à 10 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 1,3 giga échantillons par seconde (GSPS); |
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2. |
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résolution de 10 bits ou plus mais inférieure à 12 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 600 méga échantillons par seconde (MSPS); |
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3. |
résolution de 12 bits ou plus mais inférieure à 14 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 400 MSPS; |
4. |
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résolution de 14 bits ou plus mais inférieure à 16 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 250 MSPS; ou |
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5.
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résolution de 16 bits ou plus avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 65 MSPS; |
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N.B.
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Pour les circuits intégrés qui contiennent des convertisseurs analogique-numérique et stockent ou traitent les données numérisées, voir 3A001.a.14. |
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Notes techniques: 1. |
Une résolution de n bits correspond à une quantification de 2n niveaux. |
2. |
Le nombre de bits dans le mot de sortie est égal à la résolution du CAN. |
3. |
Le débit de sortie est le débit de sortie maximal du convertisseur, indépendamment de l'architecture ou du suréchantillonnage. |
4. |
Pour les 'CAN multicanaux', les sorties ne sont pas agrégées et le débit de sortie est le débit de sortie maximal d'un quelconque canal pris séparément. |
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b. | Convertisseurs numériques-analogiques (CNA) présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | résolution de 10 bits ou plus avec une 'vitesse de conversion' supérieure à 3 500 MSPS; ou |
2. | résolution de 12 bits ou plus avec une 'vitesse de conversion' supérieure à 1 250 MSPS et présentant une des caractéristiques suivantes: a. | un temps d'établissement inférieur à 9 ns à 0,024 % de la pleine échelle pour un échelon à pleine échelle; ou |
b. | une 'dynamique de modulation sans parasites' (SFDR) supérieure à 68 dBc (porteuse) lors de la synthétisation d'un signal analogique à pleine échelle de 100 MHz ou la fréquence de signal analogique à pleine échelle la plus élevée qui ait été spécifiée sous les 100 MHz. |
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Notes techniques: 1. |
La 'dynamique de modulation sans parasites' (SFDR) se définit comme le rapport entre la valeur RMS de la fréquence porteuse (composante maximale du signal) à l'entrée dans le CNA et la valeur RMS du bruit le plus fort suivant ou de la composante de distorsion harmonique à sa sortie. |
2. |
La SFDR est déterminée directement à partir du tableau des spécifications ou des graphiques de caractérisation de la SFDR par rapport à la fréquence. |
3 |
Un signal est dit à pleine échelle lorsque son amplitude est supérieure à -3 dBfs (pleine échelle). |
4. |
'vitesse de conversion' pour les CNA: a. | pour les CNA conventionnels (non entrelacés), la 'vitesse de conversion' est la vitesse à laquelle le signal numérique est converti en un signal analogique et les valeurs analogiques de sortie sont modifiées par le CNA. Pour les CNA dans lesquels le mode entrelacé peut être contourné (facteur d'entrelacement égal à un), le CNA devrait être considéré comme un CNA conventionnel (non entrelacé); |
b. | pour les CNA entrelacés (CNA suréchantillonneurs), la 'vitesse de conversion' se définit comme la vitesse de conversion du CNA divisée par le plus petit facteur d'entrelacement. Pour les CNA entrelacés, la 'vitesse de conversion' peut être nommée des différentes manières suivantes: — | débit de données en entrée |
— | fréquence d'échantillonnage en entrée |
— | débit total maximal du bus d'entrée |
— | fréquence d'horloge maximale pour l'entrée de l'horloge du CNA. |
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6. | circuits intégrés électro-optiques et «circuits intégrés optiques» conçus pour le «traitement de signal», et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | une ou plusieurs diodes «laser» internes; |
b. | un ou plusieurs photodétecteurs internes; et |
c. | des guides d'onde optiques; |
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7. | réseaux logiques programmables présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | un nombre maximum d'entrées/sorties numériques monofilaires supérieur à 700; ou |
b. | un taux de transfert par transmetteur une voie en série de crête égal ou inférieur à 500 Gb/s; |
Note: |
L'alinéa 3A001.a.7 inclut: — | les dispositifs logiques programmables complexes (CPLD); |
— | les prédiffusés programmables (FPGA); |
— | les réseaux logiques programmables par l'utilisateur (FPLA); |
— | les interconnexions programmables par l'utilisateur (FPIC). |
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N.B.
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Pour les circuits intégrés qui comportent des dispositifs logiques programmables par l’utilisateur combinés à un convertisseur analogique-numérique, voir 3A001.a.14. |
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Notes techniques: 1. | Le nombre maximum d'entrées/sorties numériques mentionné à l'alinéa 3A001.a.7.a. représente également le nombre maximum d'entrées/sorties utilisateur ou le nombre maximum d'entrées/sorties disponibles, que le circuit intégré soit encapsulé ou nu. |
2. | La 'vitesse cumulée de transfert de données du transmetteur en série une voie' correspond au produit de la vitesse de données de ce transmetteur par le nombre de transmetteurs sur le FPGA. |
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9. | circuits intégrés pour réseaux neuronaux; |
10. | circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu du fabricant, présentant l'une des caractéristiques suivantes: b. | «temps de propagation de la porte de base» typique de moins de 0,02 ns; ou |
c. | fréquence de fonctionnement supérieure à 3 GHz; |
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11. | circuits intégrés numériques, autres que ceux décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.10. et 3A001.a.12., fabriqués à partir de tout semi-conducteur composé et présentant l'une des deux caractéristiques suivantes: a. | nombre de portes équivalent de plus de 3 000 (portes à deux entrées); ou |
b. | fréquence d'inversion supérieure à 1,2 GHz; |
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12. | processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), présentant une durée d'exécution nominale pour une transformée de Fourier rapide de N points complexe inférieure à (N log2 N) /20 480 ms, N étant le nombre de points; Note technique: Lorsque N est égal à 1 024 points, la formule de l'alinéa 3A001.a.12. donne une durée d'exécution de 500 μs |
13. | circuits intégrés pour synthétiseur numérique direct présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | une fréquence d'horloge du convertisseur numérique-analogique (CNA) égale ou supérieure à 3,5 GHz, et une résolution CNA égale ou supérieure à 10 bits, mais inférieure à 12 bits; ou |
b. | une fréquence d'horloge égale ou supérieure à 1,25 GHz et une résolution CNA égale ou supérieure à 12 bits; |
Note technique: La fréquence d'horloge CNA peut être qualifiée de fréquence d'horloge de référence ou fréquence d'horloge d'entrée 3A001 suite |
14.
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Circuits intégrés qui effectuent ou sont programmables pour effectuer toutes les fonctions suivantes:
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a.
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conversions analogique-numérique répondant à l’une des conditions suivantes:
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1.
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résolution de 8 bits ou plus mais inférieure à 10 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 1,3 giga échantillons par seconde (GSPS);
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2.
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résolution de 10 bits ou plus mais inférieure à 12 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 1,0 GSPS;
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3.
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résolution de 12 bits ou plus mais inférieure à 14 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 1,0 GSPS;
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4.
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résolution de 14 bits ou plus mais inférieure à 16 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 400 méga échantillons par seconde (MSPS); ou
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5.
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résolution de 16 bits ou plus avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 180 MSPS; et
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b.
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l’une des caractéristiques suivantes:
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1.
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stockage de données numérisées; ou
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2.
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traitement de données numérisées;
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N.B.1.
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Pour les circuits intégrés convertisseurs analogique-numérique, voir 3A001.a.5.a.
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N.B.2.
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Pour les dispositifs logiques programmables par l’utilisateur, voir 3A001.a.7.
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Notes techniques:
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1.
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Une résolution de n bits correspond à une quantification de 2n niveaux.
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2.
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La résolution du CAN est le nombre de bits de la sortie numérique du CAN qui représente l’entrée analogique mesurée. Le nombre de bits effectifs (ENOB) n’est pas utilisé pour déterminer la résolution du CAN.
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3.
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Pour les circuits intégrés avec des "CAN multicanaux" non entrelacés, la "fréquence d’échantillonnage" n’est pas agrégée et la "fréquence d’échantillonnage" est la fréquence maximale d’un quelconque canal pris séparément.
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4.
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Pour les circuits intégrés avec des "CAN entrelacés" ou des "CAN multicanaux" dont il est spécifié qu’ils fonctionnent en mode entrelacé, les "fréquences d’échantillonnage" sont agrégées et la "fréquence d’échantillonnage" est la fréquence totale maximale combinée de tous les canaux entrelacés. | |
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b. | biens hyperfréquences ou à ondes millimétriques, comme suit: Note technique: Aux fins de l'alinéa 3A001.b., le paramètre de sortie de puissance de crête saturée peut également être appelé, dans les fiches techniques des produits, puissance de sortie, sortie de puissance saturée, sortie de puissance maximale, sortie de puissance de crête, ou sortie de puissance de crête de modulation. 1. | tubes électroniques à vide et cathodes, comme suit: Note 1: |
L'alinéa 3A001.b.1. ne vise pas les tubes conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | ne dépasse pas 31,8 GHz; et |
b. | est «allouée par l'UIT» pour les services de radiocommunications, mais pas pour le radiorepérage. |
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Note 2: |
L'alinéa 3A001.b.1. ne vise pas les tubes non «qualifiés pour l'usage spatial» et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | une puissance de sortie moyenne égale ou inférieure à 50 W; et |
b. | conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | dépasse 31,8 GHz mais ne dépasse pas 43,5 GHz; et |
2. | est «allouée par l'UIT» pour les services de radiocommunications, mais pas pour la radiodétermination. |
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a. |
‘dispositifs électroniques à vide’ à ondes progressives, à impulsions ou à ondes entretenues, comme suit: 1. |
dispositifs opérant sur des fréquences supérieures à 31,8 GHz; |
2. |
dispositifs comportant un élément chauffant de cathode ayant un temps de montée inférieur à 3 secondes jusqu'à la puissance HF nominale; |
3. |
dispositifs à cavités couplées, ou leurs dérivés, ayant une «bande passante fractionnelle» de plus de 7 % ou une puissance de crête supérieure à 2,5 kW; |
4. |
dispositifs à hélices ou leurs dérivés, présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | «bande passante instantanée» de plus d'une octave, et produit de la puissance moyenne (exprimée en kW) par la fréquence (exprimée en GHz) supérieur à 0,5; |
b. | «bande passante instantanée» d'une octave ou moins et produit de la puissance moyenne (exprimée en kW) par la fréquence (exprimée en GHz) supérieur à 1; ou |
c. | «qualifiés pour l'usage spatial»; |
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5.
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dispositifs ayant une "bande passante fractionnelle" supérieure ou égale à 10 %, présentant l’une des caractéristiques suivantes:
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a.
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un faisceau d’électrons annulaire;
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b.
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un faisceau d’électrons non axisymétrique; ou
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c.
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de multiples faisceaux d’électrons; | |
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b. | 'dispositifs électroniques à vide’ amplificateurs à champs croisés ayant un gain supérieur à 17 dB; |
c. |
cathodes thermoélectroniques pour ‘dispositifs électroniques à vide’ produisant une densité de courant en émission dans les conditions de fonctionnement nominales dépassant 5 A/cm2 ou une densité de courant pulsée (non continue) dans les conditions de fonctionnement nominales dépassant 10 A/cm2; |
d.
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‘dispositifs électroniques à vide’ pouvant fonctionner en ‘bi-mode’.
Note technique:
Le terme ‘bi-mode’ signifie que le faisceau de courant du ‘dispositif électronique à vide’ peut être modifié intentionnellement pour passer d’un fonctionnement en onde entretenue à un fonctionnement en mode pulsé à l’aide d’une grille, la puissance de sortie en crête de modulation obtenue étant supérieure à la puissance de sortie en onde entretenue. |
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2. | amplificateurs de puissance à «circuits intégrés monolithiques» hyperfréquences, présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz, ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 15 %, et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 75 W (48,75 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,7 GHz et pouvant atteindre 2,9 GHz; |
2. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 55 W (47,4 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,9 GHz et pouvant atteindre 3,2 GHz; |
3. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 40 W (46 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,2 GHz et pouvant atteindre 3,7 GHz; ou |
4. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 20 W (43 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz; |
|
b. | prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6,8 GHz et pouvant atteindre 16 GHz, ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %, et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 10 W (40 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 6,8 GHz et pouvant atteindre 8,5 GHz; ou |
2. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 5 W (37 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 8,5 GHz et pouvant atteindre 16 GHz; |
|
c. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 3 W (34,77 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; |
d. | avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37 GHz; |
e. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 1 W (30 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 37 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; |
f. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 31,62 mW (15 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 43,5 GHz et pouvant atteindre 75 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; |
g. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 10 mW (10 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 75 GHz et pouvant atteindre 90 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 5 %; ou |
h. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (– 70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 90 GHz; |
Note 2: |
Le statut des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d'une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.2.a à 3A001.b.2.h, est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée. |
Note 3: |
Les notes 1 et 2 figurant au chapitre 3A signifient que l'alinéa 3A001.b.2. ne vise pas les circuits intégrés monolithiques hyperfréquences lorsque ceux-ci sont spécialement conçus pour d'autres applications, par exemple: télécommunications, radars, automobiles. |
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3. | transistors hyperfréquences discrets présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz, et présentant l'une des caractéristiques suivantes; 1. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 400 W (56 dBm) à une fréquence supérieure à 2,7 GHz et pouvant atteindre 2,9 GHz; |
2. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 205 W (53,12 dBm) à une fréquence supérieure à 2,9 GHz et pouvant atteindre 3,2 GHz; |
3. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 115 W (50,61 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,2 GHz et pouvant atteindre 3,7 GHz; ou |
4. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 60 W (47,78 dBm) à une fréquence supérieure à 3,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz; |
|
b. | prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6,8 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, et présentant l'une des caractéristiques suivantes; 1. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 50 W (47 dBm) à une fréquence supérieure à 6,8 GHz et pouvant atteindre 8,5 GHz; |
2. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 15 W (41,76 dBm) à une fréquence supérieure à 8,5 GHz et pouvant atteindre 12 GHz; |
3. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 40 W (46 dBm) à une fréquence supérieure à 12 GHz et pouvant atteindre 16 GHz; ou |
4. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 7 W (38,45 dBm) à une fréquence supérieure à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz; |
|
c. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,5 W (27 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37 GHz; |
d. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 1 W (30 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 37 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz; |
e. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (– 70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 43,5 GHz; |
Note 1: |
Le statut des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d'une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.2.a à 3A001.b.2.e, est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée. |
Note 2: |
L'alinéa 3A001.b.3. inclut les dés simples, les dés montés sur supports, ou les dés montés sur des ensembles. Certains transistors discrets sont également connus sous le nom d'amplificateurs de puissance; toutefois, le statut de ces transistors discrets est défini à l'alinéa 3A001.b.3. |
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4. | amplificateurs à semi-conducteurs hyperfréquences et ensembles/modules comportant des amplificateurs à semi-conducteurs hyperfréquences, présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz, ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 15 %, et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 500 W (57 dBm) à une fréquence supérieure à 2,7 GHz et pouvant atteindre 2,9 GHz; |
2. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 270 W (54,3 dBm) à une fréquence supérieure à 2,9 GHz et pouvant atteindre 3,2 GHz; |
3. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 200 W (53 dBm) à une fréquence supérieure à 3,2 GHz et pouvant atteindre 3,7 GHz; ou |
4. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 90 W (49,54 dBm) à une fréquence supérieure à 3,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz; |
|
b. | prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6,8 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %, et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 70 W (48,54 dBm) à une fréquence supérieure à 6,8 GHz et pouvant atteindre 8,5 GHz; |
2. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 50 W (47 dBm) à une fréquence supérieure à 8,5 GHz et pouvant atteindre 12 GHz; |
3. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 30 W (44,77 dBm) à une fréquence supérieure à 12 GHz et pouvant atteindre 16 GHz; ou |
4. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 20 W (43 dBm) à une fréquence supérieure à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz; |
|
c. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,5 W (27 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37 GHz; |
d. | prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 2 W (33 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 37 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; |
e. | prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 43,5 GHz et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,2 W (23 dBm) à une quelconque fréquence supérieure 43,5 GHz et pouvant atteindre 75 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; |
2. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 20 mW (13 dBm) à une quelconque fréquence supérieure 75 GHz et pouvant atteindre 90 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 5 %; ou |
3. | une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 90 GHz; ou |
|
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N.B.
1 Pour les amplificateurs "MMIC", voir 3A001.b.2.
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N.B.2.
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Pour les ‘modules de transmission/réception’ et les ‘modules de transmission’, voir 3A001.b.12.
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N.B.3.
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Pour les convertisseurs et mélangeurs harmoniques conçus pour étendre la gamme de fonctionnement ou la gamme de fréquences des analyseurs de signaux, des générateurs de signaux, des analyseurs de réseaux ou des récepteurs d’essai hyperfréquences, voir l’alinéa 3A001.b.7. | Note 2: |
Le statut des produits dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d'une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.4.a. à 3A001.b.4.e., est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée. |
Note 3: |
L'alinéa 3A001.b.4. inclut les modules de transmission/réception et les modules de transmission. |
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5. | filtres passe-bande ou coupe-bande accordables électroniquement ou magnétiquement, comportant plus de 5 résonateurs accordables capables de s'accorder sur une bande de fréquences de 1,5:1 (fmax/fmin) en moins de 10 μs et présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | bande passante de plus de 0,5 % de la fréquence centrale; ou |
b. | bande de réjection de moins de 0,5 % de la fréquence centrale; |
|
7. | convertisseurs et mélangeurs harmoniques présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | conçus pour étendre la gamme de fréquences des «analyseurs de signaux» au-delà de 90 GHz; |
b. | conçus pour étendre la gamme de fonctionnement des générateurs de signaux comme suit: 2. | à une puissance de sortie supérieure à 100 mW (20 dBm) partout dans la gamme de fréquences comprise entre 43,5 GHz et 90 GHz; |
|
c. | conçus pour étendre la gamme de fonctionnement des analyseurs de réseaux comme suit: 2. | à une puissance de sortie supérieure à 31,62 mW (15 dBm) partout dans la gamme de fréquences comprise entre 43,5 GHz et 90 GHz; |
3. | à une puissance de sortie supérieure à 1 mW (0 dBm) partout dans la gamme de fréquences comprise entre 90 GHz et 110 GHz; ou |
|
d. | conçus pour étendre la gamme de fréquences des récepteurs d'essai hyperfréquences au-delà de 110 GHz; |
|
8. | amplificateurs de puissance hyperfréquences contenant des
‘dispositifs électroniques à vide’ visés à l'alinéa 3A001.b.1. et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | fonctionnement à des fréquences supérieures à 3 GHz; |
b. | rapport de la puissance de sortie moyenne sur la masse supérieur à 80 W/kg; et |
c. | volume inférieur à 400 cm3; |
Note: |
L'alinéa 3A001.b.8. ne vise pas les équipements conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque «allouée par l'UIT» pour les services de radiocommunications, mais pas pour la radiolocalisation. |
|
9. | modules de puissance hyperfréquences comprenant au moins un ‘dispositif électronique à vide’ à ondes progressives, un "circuit intégré monolithique hyperfréquences" ("MMIC") et un conditionneur électronique de puissance intégré et présentant toutes les caractéristiques suivantes::a. | 'temps de montée' inférieur à 10 secondes; |
b. | volume inférieur à la puissance nominale maximum en watts multipliée par 10 cm3/W; et |
c. | «bande passante instantanée» de plus d'une octave (fmax > 2fmin) et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | pour les fréquences égales ou inférieures à 18 GHz, une puissance de sortie RF supérieure à 100 W; ou |
2. | une fréquence supérieure à 18 GHz; |
|
Notes techniques: 1. |
Aux fins du calcul du volume visé à l'alinéa 3A001.b.9.b., il est fourni l'exemple suivant: pour une puissance nominale maximum de 20 W, le volume serait de: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. |
2. |
Le 'temps de montée' visé à l'alinéa 3A001.b.9.b. désigne le temps compris entre l'arrêt complet et la disponibilité totale, c'est-à-dire qu'il comprend le temps de préchauffage du module. |
|
10. | Oscillateurs ou ensembles d'oscillateurs prévus pour fonctionner avec un bruit de phase en bande latérale unique (BLU), exprimé en dBc/Hz, inférieur à (meilleur que) -(126 + 20log10F — 20log10f) à tout point de la plage de 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Note technique: À l'alinéa 3A001.b.10., F représente le décalage par rapport à la fréquence de fonctionnement exprimée en Hz et f la fréquence de fonctionnement exprimée en MHz. |
11. | «Ensembles électroniques»«synthétiseurs de fréquences» ayant un «temps de commutation de fréquence» présentant l'une des caractéristiques suivantes: b. | inférieur à 100 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 1,6 GHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 4,8 GHz et 10,6 GHz; |
d. | inférieur à 500 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 550 MHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 31,8 GHz et 37 GHz; |
e. | inférieur à 1 ms pour tout changement de fréquence supérieur à 2,2 GHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 37 GHz et 90 GHz; |
g. | inférieur à 1 ms dans la gamme de fréquences synthétisées supérieure à 90 GHz; |
Note technique:
Un 'synthétiseur de fréquence' est tout type de source de fréquence, indépendamment de la technique effectivement utilisée, fournissant, à partir d’une ou de plusieurs sorties, de multiples fréquences de sortie simultanées ou sélectionnables, commandées par, dérivées de ou assujetties à un nombre moindre de fréquences étalons (ou pilotes). |
N.B.: |
À des fins générales, «analyseurs de signaux», générateurs de signaux, analyseurs de réseaux et récepteurs d'essai hyperfréquences, voir 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. et 3A002.f. respectivement. |
|
12.
|
‘modules de transmission/réception’, ‘MMIC de transmission/réception’, ‘modules de transmission’ et ‘MMIC de transmission’ prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et présentant toutes les caractéristiques suivantes:
|
a.
|
une sortie de puissance de crête saturée (en watts), Psat, supérieure à 505,62 divisé par la fréquence de fonctionnement maximale (en GHz) au carré [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz
2] pour n’importe quel canal;
|
|
b.
|
une "bande passante fractionnelle" de 5 % ou plus pour n’importe quel canal;
|
|
c.
|
un côté planaire d’une longueur d (en cm) égale ou inférieure à 15 divisé par la fréquence de fonctionnement la plus basse en GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz], où N est le nombre de canaux de transmission ou de transmission/réception; et
|
|
d.
|
un déphaseur variable électroniquement par canal.
|
Notes techniques:
|
1.
|
Un ‘module de transmission/réception’ est un "ensemble électronique" multifonctions qui assure un réglage bidirectionnel de l’amplitude et de la phase pour la transmission et la réception de signaux.
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|
2.
|
Un ‘module de transmission’ est un "ensemble électronique" qui assure un réglage de l’amplitude et de la phase pour la transmission de signaux.
|
|
3.
|
Un ‘MMIC de transmission/réception’ est un "MMIC" multifonctions qui assure un réglage bidirectionnel de l’amplitude et de la phase pour la transmission et la réception de signaux.
|
|
4.
|
Un ‘MMIC de transmission’ est un "MMIC" qui assure un réglage de l’amplitude et de la phase pour la transmission de signaux.
|
|
5.
|
Il conviendrait d’utiliser 2,7 GHz comme fréquence de fonctionnement la plus basse (fGHz) dans la formule de l’alinéa 3A001.b.12.c. pour les modules de transmission/réception ou de transmission dont la gamme de fonctionnement descend jusqu’à 2,7 GHz et en deçà [d≤15 cm*GHz*N/2,7 GHz].
|
|
6.
|
L’alinéa 3A001.b.12. s'applique aux ‘modules de transmission/réception’ et aux ‘modules de transmission’ équipés ou non d’un dissipateur thermique. La valeur de d à l’alinéa 3A001.b.12.c. n'inclut aucune portion du ‘module de transmission/réception’ ou du ‘module de transmission’ qui fait office de dissipateur thermique.
|
|
7.
|
Les ‘modules de transmission/réception’, ‘modules de transmission’, ‘MMIC de transmission/réception’ et ‘MMIC de transmission’ peuvent ou non être équipés de N éléments d’antenne rayonnants intégrés, N étant le nombre de canaux de transmission ou de transmission/réception. | |
|
|
c. | dispositifs utilisant les ondes acoustiques, comme suit, et leurs composants spécialement conçus: 1. | dispositifs utilisant les ondes acoustiques de surface et les ondes acoustiques rasantes (peu profondes), présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | fréquence porteuse supérieure à 6 GHz; |
b. | fréquence porteuse supérieure à 1 GHz mais n'excédant pas 6 GHz et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | 'réjection de fréquence des lobes latéraux' supérieure à 65 dB; |
2. | produit du temps de propagation maximal (exprimé en μs) par la bande passante (exprimée en MHz) supérieur à 100; |
3. | largeur de bande supérieure à 250 MHz; ou |
4. | temps de propagation dispersif supérieur à 10 μs; ou |
|
c. | fréquence porteuse de 1 GHz ou moins et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | produit du temps de propagation maximal (exprimé en μs) par la bande passante (exprimée en MHz) supérieur à 100; |
2. | temps de propagation dispersif supérieur à 10 μs; ou |
3. | 'réjection de fréquence des lobes latéraux' supérieure à 65 dB et largeur de bande supérieure à 100 MHz; |
Note technique: La 'réjection de fréquence des lobes latéraux' est la valeur de réjection maximale spécifiée dans la fiche technique. |
|
2. | dispositifs utilisant les ondes acoustiques (de volume) qui permettent un traitement direct du signal à des fréquences supérieures à 6 GHz; |
3. | dispositifs de «traitement de signal» acousto-optiques, faisant appel à une interaction entre ondes acoustiques (de volume ou de surface) et ondes lumineuses permettant le traitement direct du signal ou d'images, y compris l'analyse spectrale, la corrélation ou la convolution; |
Note: |
L'alinéa 3A001.c. ne vise pas les dispositifs utilisant les ondes acoustiques qui n'ont qu'une capacité unique de filtrage passe-bande, filtrage passe-bas, filtrage passe-haut ou filtrage coupe-bande, ou une fonction de résonance. |
|
d. | dispositifs ou circuits électroniques contenant des composants fabriqués à partir de matériaux «supraconducteurs», spécialement conçus pour fonctionner à des températures inférieures à la «température critique» d'au moins un des constituants «supraconducteurs» et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | commutation de courant pour circuits numériques utilisant des portes «supraconductrices» avec un produit du temps de propagation par porte (exprimé en secondes) par la puissance dissipée par porte (exprimée en watts) inférieur à 10– 14 J; ou |
2. | sélection de fréquence à toutes les fréquences utilisant des circuits résonants ayant des facteurs de qualité (Q) dépassant 10 000; |
|
e. | dispositifs à haute énergie, comme suit: 1. | 'éléments' comme suit: a.
|
‘éléments primaires’ présentant l’une des caractéristiques suivantes à 20 °C:
|
1.
|
une 'densité d’énergie' supérieure à 550 Wh/kg et une 'densité de puissance continue' supérieure à 50 W/kg; ou
|
|
2.
|
une 'densité d’énergie' supérieure à 50 Wh/kg et une 'densité de puissance continue' supérieure à 350 W/kg; ou
|
|
|
b.
|
‘éléments secondaires’ ayant une ‘densité d’énergie’ supérieure à 350 Wh/kg à 20 °C; | |
Notes techniques: 1. | Aux fins de l'alinéa 3A001.e.1., la 'densité d'énergie' (Wh/kg) est calculée à partir du voltage nominal, multiplié par la capacité nominale en ampères heures (Ah), divisé par la masse en kilogrammes. Si la capacité nominale n'est pas indiquée, la densité d'énergie est calculée à partir du voltage nominal au carré puis multiplié par la durée de décharge exprimée en heures et divisé par la résistance de décharge en ohms et la masse en kilogrammes. |
2. | Aux fins de l'alinéa 3A001.e.1, on entend par 'élément' un dispositif électrochimique, doté d'électrodes positives et négatives et d'un électrolyte, qui constitue une source d'énergie électrique. Il s'agit du composant de base d'une pile ou batterie. |
3. | Aux fins de l'alinéa 3A001.e.1.a., on entend par 'élément primaire' un 'élément' qui n'est pas conçu pour être chargé par une autre source. |
4. | Aux fins de l'alinéa 3A001.e.1.b., on entend par 'élément secondaire' un 'élément' conçu pour être chargé par une source électrique externe. |
Note: |
L'alinéa 3A001.e.1. ne vise pas les batteries, y compris les piles et batteries à élément unique. |
|
2. | condensateurs à capacité de stockage d'énergie élevée, comme suit: N.B. |
VOIR ÉGALEMENT 3A201.a. et la liste des matériels de guerre. |
a. | condensateurs à décharge unique ayant une fréquence de répétition inférieure à 10 Hz et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | tension nominale égale ou supérieure à 5 kV; |
2. | densité d'énergie égale ou supérieure à 250 J/kg; et |
3. | énergie totale égale ou supérieure à 25 kJ; |
|
b. | condensateurs ayant une fréquence de répétition de 10 Hz ou plus (à décharges successives) et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | tension nominale égale ou supérieure à 5 kV; |
2. | densité d'énergie égale ou supérieure à 50 J/kg; |
3. | énergie totale égale ou supérieure à 100 J; et |
4. | durée de vie égale ou supérieure à 10 000 cycles charge/décharge; |
|
|
3. | électro-aimants et solénoïdes «supraconducteurs», spécialement conçus pour un temps de charge/décharge complète inférieur à une seconde et présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B. |
VOIR ÉGALEMENT 3A201.b. |
Note: |
L'alinéa 3A001.e.3. ne vise pas les électro-aimants ou solénoïdes «supraconducteurs» spécialement conçus pour les équipements médicaux d'imagerie par résonance magnétique (IRM). |
a. | énergie délivrée pendant la décharge supérieure à 10 kJ au cours de la première seconde; |
b. | diamètre intérieur des bobinages porteurs de courant supérieur à 250 mm; et |
c. | prévus pour une induction magnétique supérieure à 8 T ou une «densité de courant globale» à l'intérieur des bobinages de plus de 300 A/mm2; |
|
4. | cellules solaires, ensembles de fenêtres d'interconnexion de cellules, panneaux solaires et générateurs photovoltaïques «qualifiés pour l'usage spatial» et dont l'efficacité moyenne minimum est supérieure à 20 % à une température de fonctionnement de 301 K (28 °C) sous flux lumineux 'AM0' simulé, avec un éclairement énergétique de 1 367 watts par mètre carré (W/m2); Note technique: Par 'AM0' ou 'masse d'air nulle', on entend le spectre du flux de lumière solaire dans l'atmosphère terrestre extérieure lorsque la distance entre la Terre et le soleil est égale à une unité astronomique. |
|
f. | codeurs de position absolue de type à entrée rotative ayant une «précision» égale ou inférieure à (meilleure que) 1,0 seconde d'arc; |
g. | modules et dispositifs dotés de thyristors de commutation à alimentation pulsée et à commutation électrique, optique ou contrôlée par rayonnement électronique et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | un temps de montée maximum du courant de mise sous tension (di/dt) supérieur à 30 000A/μs et une tension à l'état bloqué supérieure à 1 100 V; ou |
2. | un temps de montée maximum du courant de mise sous tension (di/dt) supérieur à 2 000A/μs et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | une tension de crête à l'état bloqué égale ou supérieure à 3 000 V; et |
b. | un courant (de surcharge) crête égal ou supérieur à 3 000 A. |
|
Note 1: |
L'alinéa 3A001.g. inclut: — | les redresseurs commandés au silicium (SCR); |
— | les thyristors à amorçage électrique (ETT); |
— | les thyristors à amorçage par impulsion de lumière (LTT); |
— | les thyristors commutés à gâchette intégrée (IGCT); |
— | les thyristors blocables (GTO); |
— | les thyristors commandés par MOS (MCT); |
|
Note 2: |
L'alinéa 3A001.g. ne vise pas les dispositifs de thyristors et les 'modules de thyristors' intégrés dans des équipements destinés aux chemins de fer civils ou aux «aéronefs civils». |
Note technique: Aux fins de l'alinéa 3A001.g., un 'module de thyristors' contient un ou plusieurs dispositifs de thyristors. |
h. | commutateurs, diodes ou 'modules' de puissance à semi-conducteur présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | prévus pour une température maximale de jonction en fonctionnement supérieure à 488 K (215 °C); |
2. | tension de pointe répétitive à l'état bloqué (tension de blocage) supérieure à 300 V; et |
3. | courant continu supérieur à 1 A. |
Note 1: |
La tension de pointe répétitive à l'état bloqué visée à l'alinéa 3A001.h. inclut la tension drain-source, la tension collecteur-émetteur, la tension inverse de pointe répétitive et la tension de pointe répétitive à l'état bloqué. |
Note 2: |
L'alinéa 3A001.h. inclut: — | les transistors à effet de champ à jonction (JFET); |
— | les transistors à effet de champ à jonction verticale (VJFET); |
— | les transistors à effet de champ à oxydes métalliques (MOSFET); |
— | les transistors à double diffusion à effet de champ à oxydes métalliques (DMOSFET); |
— | les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT); |
— | les transistors à haute mobilité électronique (HEMT); |
— | les transistors bipolaires à jonctions (BJT); |
— | les thyristors ou redresseurs commandés au silicium (SCR); |
— | les thyristors blocables (GTO); |
— | les thyristors de puissance (ETO); |
|
Note 3: |
L'alinéa 3A001 h. ne vise pas les commutateurs, diodes ou 'modules' intégrés dans des équipements destinés aux automobiles civiles, aux trains civils ou aux «aéronefs civils». |
Note technique: Aux fins de l'alinéa 3A001.h., les 'modules' contiennent un ou plusieurs commutateurs ou diodes d'alimentation à semi-conducteurs. |
3A002 - «Ensembles électroniques», modules et équipements à usage général, comme suit:
a. | matériels d'enregistrement et oscilloscopes comme suit: 6. | les systèmes d'enregistrement numériques présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | 'débit continu' permanent de plus de 6,4 Gbits/s vers un disque dur ou un disque SSD; et |
b. | processeur réalisant l'analyse des données relatives aux signaux radioélectriques pendant leur enregistrement; |
Notes techniques: 1. |
Pour les systèmes d'enregistrement ayant une structure de bus parallèle, le 'débit continu' est la vitesse de mots la plus élevée multipliée par le nombre de bits dans un mot. |
2. |
Le 'débit continu' est le débit de données le plus rapide que l'instrument peut enregistrer sur un disque dur ou un disque SDD sans aucune perte d'information tout en assurant le débit de données numériques en entrée ou le taux de conversion du numériseur. |
|
7. | les oscilloscopes en temps réel ayant une tension parasite d'une valeur quadratique moyenne verticale inférieure à 2 % de la pleine échelle au réglage d'échelle verticale fournissant la valeur minimale de parasites pour toute bande passante d'entrée de 3 dB égale ou supérieure à 60 GHz par canal; Note: |
L'alinéa 3A002.a.7. ne vise pas les oscilloscopes à échantillonnage en temps équivalent. |
|
|
c. | «analyseurs de signaux», comme suit: 1. | «analyseurs de signaux» ayant une résolution de bande passante à 3 dB supérieure à 10 MHz partout dans la gamme de fréquences comprise entre 31,8 GHz et 37 GHz; |
2. | «analyseurs de signaux» ayant un niveau de bruit moyen affiché (DANL) inférieur à (meilleur que) – 150 dBm/Hz partout dans la gamme de fréquences supérieures comprise entre 43,5 GHz et 90 GHz; |
3. | «analyseurs de signaux» ayant une fréquence supérieure à 90 GHz; |
4. | «analyseurs de signaux» présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | «bande passante en temps réel» supérieure à 170 MHz; et |
b. | présentant l’une des caractéristiques suivantes:
|
1.
|
probabilité de découverte à 100 % avec une réduction inférieure à 3 dB par rapport à la pleine amplitude en raison des écarts ou des effets de fenêtrage des signaux d’une durée égale ou inférieure à 15 μs; ou
|
|
2.
|
une fonction de 'déclenchement sur masque de fréquence' avec une probabilité de déclenchement (ou capture) de 100 % pour les signaux d’une durée égale ou inférieure à 15 μs;
|
Notes techniques:
|
1.
|
La 'bande passante en temps réel' est la gamme de fréquence la plus large pour laquelle l’analyseur peut transformer complètement et de façon continue les données temps-domaine en résultats fréquence-domaine à l’aide d’une transformée de Fourier ou d’une autre transformée à temps discret traitant chaque point de temps entrant sans réduction de l’amplitude mesurée de plus de 3 dB sous l’amplitude réelle du signal causée par un écart ou effet de fenêtrage, tout en produisant ou en affichant les données transformées.
|
|
2.
|
La probabilité de découverte visée à l’alinéa 3A002.c.4.b.1. est également connue sous le nom de probabilité d’interception ou de probabilité de capture.
|
|
3.
|
Aux fins de l’alinéa 3A002.c.4.b.1., la durée de la probabilité de découverte à 100 % correspond à la durée de signal minimale nécessaire pour l’incertitude indiquée de mesure du niveau.
|
|
4.
|
Le 'déclenchement sur masque de fréquence' est un mécanisme permettant à la fonction de déclenchement de sélectionner une plage de fréquence dans laquelle activer le déclenchement sous forme d’un sous-ensemble de la bande passante d’acquisition tout en ignorant les autres signaux éventuellement présents sur la même bande passante. Un 'déclenchement sur masque de fréquence' peut contenir plusieurs ensembles indépendants de contraintes. | |
Note: |
L'alinéa 3A002.c.4. ne vise pas les «analyseurs de signaux» utilisant uniquement des filtres de bande passante à pourcentage constant (également connus sous le nom de filtres d'octaves ou de filtres d'octave partiels). |
|
|
d. | générateurs de signaux présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | spécifié pour générer des signaux modulés par impulsions présentant toutes les caractéristiques suivantes, partout dans la gamme de fréquences comprise entre 31,8 GHz et 37 GHz; a. | «durée d'impulsion» inférieure à 25 ns; et |
b. | rapport marche/arrêt égal ou supérieur à 65 dB; |
|
2. | puissance de sortie supérieure à 100 mW (20 dBm) partout dans la gamme de fréquences comprise entre 43,5 GHz et 90 GHz; |
3. | «temps de commutation de fréquence» présentant l'une des caractéristiques suivantes: b. | inférieur à 100 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 2,2 GHz dans la gamme de fréquences comprise entre 4,8 GHz et 31,8 GHz; |
d. | inférieur à 500 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 550 MHz dans la gamme de fréquences comprise entre 31,8 GHz et 37 GHz; ou |
e. | inférieur à 100 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 2,2 GHz dans la gamme de fréquences comprise entre 37 GHz et 90 GHz; |
|
4. | bruit de phase en bande latérale unique (BLU), exprimé en dBc/Hz, défini comme présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | inférieur à (meilleur que) -(126 + 20log10F — 20log10f) en tout point situé dans la plage de 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz, partout dans la gamme de fréquences comprise entre 3,2 GHz et 90 GHz; ou |
b. | inférieur à (meilleur que) -(206- 20log10f) en tout point situé dans la plage de 10 kHz< F≤ 100 kHz, partout dans la gamme de fréquences comprise entre 3,2 GHz et 90 GHz; ou |
Note technique: À l'alinéa 3A002.d4., F représente le décalage par rapport à la fréquence de fonctionnement exprimée en Hz et f la fréquence de fonctionnement exprimée en MHz. |
5. | fréquence maximale supérieure à 90 GHz; |
Note 1: |
Aux fins de l'alinéa 3A002.d., les générateurs de signaux incluent les générateurs de formes d'ondes et de fonctions arbitraires. |
Note 2: |
L'alinéa 3A002.d. ne vise pas les équipements dans lesquels la fréquence de sortie est produite par l'addition ou la soustraction de deux fréquences ou de plus de deux fréquences obtenues par des oscillateurs à quartz, ou par une addition ou une soustraction suivie d'une multiplication du résultat. |
Notes techniques: 1. | La fréquence maximale d'un générateur de formes d'ondes et de fonctions arbitraires est calculée en divisant la fréquence d'échantillonnage, exprimée en échantillons/seconde, par un facteur de 2,5. |
2. | Aux fins de l'alinéa 3A002.d.1.a, on entend par 'durée d'impulsion' le temps compris entre le moment où le bord d'attaque de l'impulsion atteint 50 % de l'amplitude et celui où le bord de fuite de l'impulsion atteint 50 % de l'amplitude. |
|
e. | analyseurs de réseaux présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | une puissance de sortie supérieure à 31,62 mW (15 dBm) partout dans la gamme de fréquences de fonctionnement comprise entre 43,5 GHz et 90 GHz; |
2. | une puissance de sortie supérieure à 1 mW (0 dBm) partout dans la gamme de fréquences de fonctionnement comprise entre 90 GHz et 110 GHz; |
3. | la 'fonctionnalité de mesure de vecteur non linéaire' à des fréquences comprises entre 50 GHz et 110 GHz; ou Note technique: la 'fonctionnalité de mesure de vecteur non linéaire' correspond à la capacité d'un instrument d'analyser les résultats de dispositifs utilisés dans le domaine des grands signaux ou dans la plage de distorsion non linéaire. |
4. | fréquence maximale de fonctionnement supérieure à 110 GHz; |
|
f. | récepteurs d'essai hyperfréquences présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | fréquence maximale de fonctionnement supérieure à 110 GHz; et |
2. | capacité de mesure simultanée de l'amplitude et de la phase; |
|
g. | étalons de fréquence atomiques présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | «qualifiés pour l'usage spatial»; |
2. | non au rubidium et ayant une stabilité à long terme inférieure à (meilleure que) 1 × 10– 11/mois; ou |
3. | non «qualifiés pour l'usage spatial» et présentant toutes les caractéristiques suivantes: b. | stabilité à long terme inférieure à (meilleure que) 1 × 10– 11/mois; et |
c. | puissance consommée totale inférieure à 1 W; |
|
|
h. | «Ensembles électroniques», modules ou équipements répondant aux spécifications nécessaires pour effectuer toutes les fonctions suivantes: 1. | conversions analogique-numérique répondant à l’une des conditions suivantes:
|
a.
|
résolution de 8 bits ou plus mais inférieure à 10 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 1,3 giga échantillons par seconde (GSPS);
|
|
b.
|
résolution de 10 bits ou plus mais inférieure à 12 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 1,0 GSPS;
|
|
c.
|
résolution de 12 bits ou plus mais inférieure à 14 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 1,0 GSPS;
|
|
d.
|
résolution de 14 bits ou plus mais inférieure à 16 bits, avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 400 méga échantillons par seconde (MSPS); ou
|
|
e.
|
résolution de 16 bits ou plus avec une "fréquence d’échantillonnage" supérieure à 180 MSPS; et | |
2. | l'une des caractéristiques suivantes: a. | sortie de données numérisées; |
b. | stockage de données numérisées; ou |
c. | traitement de données numérisées; |
|
N.B.: |
Les systèmes d'enregistrement numériques, les oscilloscopes, les «analyseurs de signaux», les générateurs de signaux, les analyseurs de réseaux et les récepteurs d'essai hyperfréquences sont visés respectivement aux alinéas 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. et 3A002.f. |
Note technique: 1.
|
Une résolution de n bits correspond à une quantification de 2n niveaux.
|
|
2.
|
La résolution du CAN est le nombre de bits de la sortie numérique du CAN qui représente l’entrée analogique mesurée. Le nombre de bits effectifs (ENOB) n’est pas utilisé pour déterminer la résolution du CAN.
|
|
3.
|
Pour les "ensembles électroniques", modules ou équipements multicanaux non entrelacés, la "fréquence d’échantillonnage" n’est pas agrégée et la "fréquence d’échantillonnage" est la fréquence maximale d’un quelconque canal pris séparément.
|
|
4.
|
Pour les canaux entrelacés sur les "ensembles électroniques", modules ou équipements multicanaux, les "fréquences d’échantillonnage" sont agrégées et la "fréquence d’échantillonnage" est la fréquence maximale totale combinée de tous les canaux entrelacés. | Note: |
L'alinéa 3A002.h. inclut les cartes ADC, les numériseurs de formes d'ondes, les cartes d'acquisition de données, les cartes d'acquisition de signaux et les enregistreurs de transitoires. |
|
3A003 - Systèmes de gestion thermique à refroidissement par pulvérisation utilisant des dispositifs de traitement et de régénération des fluides en boucle fermée pourvus d'une enveloppe scellée, dans lesquels le fluide diélectrique est pulvérisé sur les composants électroniques à l'aide de tuyères de pulvérisation spécialement conçues pour maintenir les composants électroniques à leur température de fonctionnement, et leurs composants spécialement conçus.
3A101 - Dispositifs, équipements, systèmes et composants électroniques autres que ceux visés au paragraphe 3A001, comme suit:
a. | convertisseurs analogique-numérique, utilisables dans les «missiles», conçus pour respecter les spécifications militaires relatives aux équipements renforcés; |
b. | accélérateurs capables de délivrer des rayonnements électromagnétiques produits par Bremsstrahlung à partir d'électrons accélérés à 2 MeV ou plus, et systèmes contenant ces accélérateurs. Note: |
L'alinéa 3A101.b. ci-dessus ne vise pas les systèmes ou équipements conçus à des fins médicales. |
|
3A102 - 'Piles thermiques' conçues ou modifiées pour des 'missiles'.
Notes techniques: 1. |
Aux fins du paragraphe 3A102, le terme 'piles thermiques' désigne des piles à usage unique, dont l'électrolyte est un sel inorganique. Ces piles contiennent un matériau pyrolytique qui, une fois allumé, fait fondre l'électrolyte et active la pile. |
2. |
Aux fins du paragraphe 3A102, le terme 'missile' désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage, dont la portée est au moins égale à 300 km. |
3A201 - Composants électroniques, autres que ceux visés au paragraphe 3A001, comme suit:
a. | condensateurs possédant l'un des ensembles de caractéristiques suivants: 1. | a. | voltage nominal supérieur à 1,4 kV; |
b. | stockage d'énergie supérieur à 10 J; |
c. | capacité supérieure à 0,5 μF; et |
d. | inductance série inférieure à 50 nH; ou |
|
2. | a. | voltage nominal supérieur à 750 V; |
b. | capacité supérieure à 0,25 μF; et |
c. | inductance série inférieure à 10 nH; |
|
|
b. | électro-aimants solénoïdaux supraconducteurs possédant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | capables de créer des champs magnétiques supérieurs à 2 T; |
2. | ayant un rapport L/D (longueur divisée par diamètre intérieur) supérieur à 2; |
3. | d'un diamètre intérieur supérieur à 300 mm; et |
4. | possédant un champ magnétique uniforme à moins de 1 % sur la moitié centrale du volume intérieur; |
Note: |
L'alinéa 3A201.b. ci-dessus ne vise pas les aimants spécialement conçus et exportés 'comme éléments de' systèmes médicaux d'imagerie à résonance magnétique nucléaire (RMN). Il est entendu que les termes 'comme éléments de' ne signifient pas nécessairement que ces produits font physiquement partie du même envoi. Des envois séparés de sources différentes sont permis, à condition que les documents d'exportation correspondants précisent clairement le fait que les envois sont réalisés 'comme éléments de' systèmes d'imagerie médicale. |
|
c. | générateurs de rayons X à décharge éclair ou accélérateurs d'électrons à impulsion présentant l'un des ensembles de caractéristiques suivants: 1. | a. | une énergie de crête des électrons de l'accélérateur égale ou supérieure à 500 KeV mais inférieure à 25 MeV; et |
b. | un 'facteur de mérite' (K) égal ou supérieur à 0,25, K; ou |
|
2. | a. | une énergie de crête des électrons de l'accélérateur égale ou supérieure à 25 MeV; et |
b. | une 'puissance de crête' supérieure à 50 MW. |
|
Note: |
L'alinéa 3A201.c. ne vise pas les accélérateurs qui sont des composants de dispositifs conçus à des fins autres que l'irradiation par faisceaux électroniques ou par rayons X (par exemple, microscopie électronique), ni ceux conçus à des fins médicales. |
Notes techniques: 1. | Le 'facteur de mérite' K se définit comme suit:
K = 1,7 × 103V2,65Q V étant l'énergie de crête des électrons exprimée en millions d'électronvolts. Q est la charge totale accélérée exprimée en coulombs lorsque la durée d'impulsion du faisceau de l'accélérateur est inférieure ou égale à 1 μs. Si la durée d'impulsion du faisceau de l'accélérateur est supérieure à 1 μs, Q représente la charge maximale accélérée en 1 μs. Q est l'intégrale de i par rapport à t, pendant une μs ou pendant la durée de l'impulsion du faisceau si celle-ci est inférieure à 1 μs (Q = ∫ idt) où i représente le courant du faisceau exprimé en ampères et t le temps exprimé en secondes). |
2. | 'Puissance de crête' = (potentiel de crête en volts) × (courant de crête du faisceau en ampères). |
3. | Dans les machines fonctionnant avec des cavités d'accélération hyperfréquences, la durée de l'impulsion du faisceau est soit 1 μs, soit la durée du paquet de faisceaux produit par une impulsion du modulateur hyperfréquence si celle-ci est inférieure à 1 μs. |
4. | Dans les machines fonctionnant avec des cavités d'accélération hyperfréquences, le courant de crête du faisceau représente le courant moyen pendant la durée d'un paquet de faisceaux groupés. |
|
3A225 - Changeurs de fréquence ou générateurs, autres que ceux visés à l'alinéa 0B001.b.13., utilisable comme moteur à fréquences variables ou fixes, et présentant toutes les caractéristiques suivantes:
N.B. 1: |
Les «logiciels» spécialement conçus pour renforcer ou libérer les performances d'un changeur ou générateur de fréquence afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225 sont définis au paragraphe 3D225. |
N.B. 2: |
La «technologie» sous forme de codes ou de clés pour renforcer ou libérer les performances d'un changeur ou générateur de fréquence afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225 est définie au paragraphe 3E225. |
a. | une sortie polyphasée fournissant une puissance égale ou supérieure à 40 VA; |
b. | fonctionnant à une fréquence égale ou supérieure à 600 Hz; et |
c. | une précision de réglage de la fréquence meilleure que 0,2 %. |
Note: |
Le paragraphe 3A225 ne vise pas les changeurs ou générateurs de fréquence ayant des contraintes matérielles, logicielles ou technologiques limitant les performances à des valeurs inférieures à celles indiquées plus haut, pourvu qu'ils remplissent l'une des conditions suivantes: 1. | ils doivent être renvoyés au fabricant d'origine afin d'apporter les améliorations requises ou de libérer les contraintes; |
2. | ils requièrent un «logiciel» tel que spécifié au paragraphe 3D225 pour renforcer ou libérer les performances afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225; ou |
3. | ils requièrent une «technologie» sous la forme de clés ou de codes, tel que spécifié au paragraphe 3E225 pour renforcer ou libérer les performances afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225. |
|
Notes techniques: 1. | Les changeurs de fréquence visés au paragraphe 3A225 sont aussi appelés convertisseurs ou inverseurs. |
2. | Les changeurs de fréquence visés au paragraphe 3A225 peuvent être commercialisés sous le nom de générateurs, équipement d'essai électronique, alimentations CA, moteurs à vitesse variable, entraînements à vitesse variable, entraînements à fréquence variable, entraînements à fréquence réglable ou entraînements à vitesse réglable. |
3A226 - Alimentations à forte intensité continue, autres que celles visées à l'alinéa 0B001.j.6., présentant les deux caractéristiques suivantes:
a. | capables de produire de façon continue, pendant une période de 8 heures, 100 V ou plus, avec une intensité de courant supérieure ou égale à 500 A; et |
b. | une stabilité de l'intensité ou de la tension meilleure que 0,1 % pendant une période de 8 heures. |
3A227 - Alimentations en courant continu à haute tension, autres que celles visées à l'alinéa 0B001.j.5., présentant les deux caractéristiques suivantes:
a. | capables de produire de façon continue, pendant une période de 8 heures, 20 kV ou plus, avec une intensité de courant supérieure ou égale à 1 A; et |
b. | une stabilité de l'intensité ou de la tension meilleure que 0,1 % pendant une période de 8 heures. |
3A228 - Commutateurs, comme suit:
a. | tubes à cathode froide, qu'ils soient ou non remplis de gaz, fonctionnant de manière similaire à un éclateur à étincelle et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | trois électrodes ou plus; |
2. | tension anodique nominale de crête égale ou supérieure à 2,5 kV; |
3. | courant anodique nominal de crête égal ou supérieur à 100 A; et |
4. | temporisation de l'anode égale ou inférieure à 10 μs; |
Note: |
Le paragraphe 3A228 vise également les tubes krytron à gaz et les tubes sprytron à vide. |
|
b. | éclateurs à étincelle présentant les deux caractéristiques suivantes: 1. | déclenchés avec une temporisation de l'anode égale ou inférieure à 15 μs; et |
2. | fonctionnant avec un courant nominal de crête égal ou supérieur à 500 A; |
|
c. | modules ou ensembles possédant une fonction de commutation rapide autres que ceux visés à l'alinéa 3A001.g. ou à l'alinéa 3A001.h. et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | tension anodique nominale de crête supérieure à 2 kV; |
2. | courant anodique nominal de crête égal ou supérieur à 500 A; et |
3. | temps de commutation égal ou inférieur à 1 μs. |
|
3A229 - Générateurs d'impulsions à haute intensité, comme suit:
N.B.: |
VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. |
a. | Dispositifs de mise à feu de détonateurs (systèmes amorceurs, dispositifs de mise à feu), y compris dispositifs électroniques, explosifs et optiques, autres que les dispositifs visés à l'alinéa 1A007.a., conçus pour actionner les détonateurs d'explosifs visés à l'alinéa 1A007.b; |
b. | générateurs d'impulsions électriques modulaires (contacteurs) présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | portables, mobiles ou pour une utilisation exigeant une robustesse élevée; |
2. | capables de fournir leur énergie en moins de 15 μs dans des charges inférieures à 40 ohms; |
3. | produisant un courant de plus de 100 A; |
4. | n'ayant aucune dimension supérieure 30 cm; |
5. | ayant un poids inférieur à 30 kg; et |
6. | conçus pour fonctionner sur une plage de température allant de 223 K (– 50 °C) à 373 K (100 °C) ou conçus pour des applications aérospatiales. |
Note: |
L'alinéa 3A229.b. vise également les dispositifs de commande de lampes éclairs au xénon. |
|
c. | Micro-unités de mise à feu présentant la totalité des caractéristiques suivantes: 1. | aucune dimension supérieure 35 mm; |
2. | tension nominale supérieure ou égale à 1 kV; et |
3. | capacitance supérieure ou égale à 100 nF. |
|
3A230 - Générateurs d'impulsions à grande vitesse et leurs «têtes d'impulsion», présentant les deux caractéristiques suivantes:
a. | tension de sortie supérieure à 6 volts dans une charge ohmique inférieure à 55 ohms, et |
b. | 'temps de transition des impulsions' inférieur à 500 ps. |
Notes techniques: 1. |
Au paragraphe 3A230, le 'temps de transition des impulsions' est défini comme le temps nécessaire pour passer de 10 à 90 % d'amplitude de la tension. |
2. |
Les 'têtes d'impulsion' sont des impulsions formant des réseaux qui sont conçus pour accepter une fonction de saut de tension et la transformer en une variété de formes d'impulsions pouvant inclure des types rectangulaires, triangulaires, de saut, d'impulsion, exponentiels ou monocycles. Les 'têtes d'impulsion' peuvent faire partie intégrante du générateur d'impulsions, être un module à brancher au dispositif ou un dispositif connecté extérieurement. |
3A231 - Systèmes générateurs de neutrons, y compris des tubes, présentant les deux caractéristiques suivantes:
a. | conçus pour fonctionner sans installation de vide extérieure; et |
b. | utilisant au choix: 1. | une accélération électrostatique pour déclencher une réaction nucléaire tritium-deutérium; ou |
2. | une accélération électrostatique pour déclencher une réaction nucléaire tritium-deutérium et capable de produire au moins 3 × 109 neutrons/s. |
|
3A232 - Systèmes multipoints d'amorçage, autres que ceux visés au paragraphe 1A007, comme suit:
N.B.: |
VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. |
N.B.: |
Voir l'alinéa 1A007.b. pour les détonateurs. |
b. | systèmes utilisant un détonateur unique ou des détonateurs multiples conçus pour amorcer quasi simultanément une surface explosive sur une surface de plus de 5 000 mm2 au moyen d'un signal unique de mise à feu avec un temps de propagation de l'amorçage sur toute la surface inférieur à 2,5 μs. |
Note: |
Le paragraphe 3A232 ne vise pas les détonateurs faisant appel uniquement à des explosifs primaires, tels que l'azoture de plomb.
|
3A233 - Spectromètres de masse, autres que ceux visés à l'alinéa 0B002.g., capables de mesurer des ions de 230 unités de masse atomique ou davantage, et d'avoir une résolution meilleure que 2 parties pour 230, comme suit, et leurs sources d'ions:
a. | spectromètres de masse au plasma associés par couplage inductif; |
b. | spectromètres de masse à décharge luminescente; |
c. | spectromètres de masse à ionisation thermique; |
d. | spectromètres de masse à bombardement d'électrons présentant les deux caractéristiques suivantes: 1. | système d'admission à faisceau moléculaire qui injecte un faisceau collimaté de molécules à analyser dans une zone de la source d'ions où les molécules sont ionisées par un faisceau d'électrons; et |
2. | un ou plusieurs 'pièges à froid' pouvant être refroidi à une température de 193 K (– 80 °C); |
|
f. | spectromètres de masse équipés d'une source d'ions à microfluoration conçue pour les actinides ou les fluorures d'actinide. |
Notes techniques: 1. |
Les spectromètres de masse à bombardement d'électrons visés à l'alinéa 3A233.d. sont également connus sous le nom de spectromètres de masse à ionisation par bombardement électronique ou de spectromètres de masse à ionisation électronique. |
2. |
Aux fins de l'alinéa 3A233.d.2., un 'piège à froid' est un dispositif qui capture les molécules de gaz par condensation ou congélation sur des surfaces froides. Aux fins de l'alinéa 3A233.d.2., une pompe à vide cryogénique à l'hélium gazeux en boucle fermée n'est pas un 'piège à froid'. |
3A234 - Guides d'ondes à rubans procurant un chemin à faible inductance vers les détonateurs, et présentant les caractéristiques suivantes: a. | tension nominale supérieure à 2 kV; et |
b. | inductance inférieure à 20 nH. |
3B - Équipements d'essai, d'inspection et de production
3B001 - Équipements pour la fabrication de dispositifs ou de matériaux semi-conducteurs, comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus:
a. | équipements spécialement conçus pour la croissance épitaxiale, comme suit: 1. | équipements capables de produire une couche de tout matériau autre que le silicium d'épaisseur uniforme avec une précision de ± 2,5 % sur une distance de 75 mm ou plus; Note: |
L'alinéa 3B001.a.1. inclut les équipements d'épitaxie par couche atomique (ALE). |
|
2. | réacteurs de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique organométallique (MOCVD) conçus pour la croissance épitaxiale de semi-conducteurs composés de matériaux possédant au moins deux des éléments suivants: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphore, antimoine ou azote; |
3. | équipement de croissance épitaxiale à jet moléculaire utilisant des sources gazeuses ou solides; |
|
b. | équipements conçus pour l'implantation ionique et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 2. | conçus et optimisés pour fonctionner à une énergie de faisceau égale ou supérieure à 20 keV, et un courant de faisceau égal ou supérieur à 10 mA pour les implantations d'hydrogène, de deutérium ou d'hélium; |
3. | capacité d'écriture directe; |
4. | énergie de faisceau d'au moins 65 keV et courant de faisceau d'au moins 45 mA pour une implantation à haute énergie d'oxygène dans un «substrat» de matériau semi-conducteur chauffé; ou |
5. | conçus et optimisés pour fonctionner à une énergie de faisceau égale ou supérieure à 20 keV, et un courant de faisceau égal ou supérieur à 10 mA pour une implantation de silicone dans un «substrat» de matériau semi-conducteur chauffé à au moins 600 °C; |
|
e. | systèmes centraux de manipulation des plaquettes pour le chargement automatique à chambres multiples, présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. | des interfaces pour l'entrée et la sortie des plaquettes auxquelles sont connectés plus de deux 'instruments de traitement de semi-conducteurs' différents du point de vue fonctionnel, visés aux alinéas 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3. ou 3B001.b., et conçus à cet effet; et |
2. | ayant été conçus pour former un système intégré dans un environnement sous vide pour le 'traitement séquentiel multiple des plaquettes'; |
Note: |
L'alinéa 3B001.e. ne vise pas les systèmes automatiques robotisés de manipulation de plaquettes qui sont spécialement conçus pour le traitement parallèle de plaquettes. |
Notes techniques: 1. | Aux fins de l'alinéa 3B001.e., on entend par 'instruments de traitement des semi-conducteurs' les instruments modulaires qui permettent des traitements physiques pour la production de semi-conducteurs, différents du point de vue fonctionnel, tels que le dépôt, l'implant et le traitement thermique. |
2. | Aux fins de l'alinéa 3B001.e., on entend par 'traitement séquentiel multiple des plaquettes' la capacité de traiter chaque plaquette dans divers 'instruments de traitement des semi-conducteurs', par exemple en transférant chaque plaquette d'un instrument à un second instrument puis à un troisième instrument avec les systèmes centraux de manipulation des plaquettes pour le chargement automatique à chambres multiples. |
|
f. | équipements de lithographie, comme suit: 1. | photorépéteurs d'alignement et d'exposition (réduction directe sur la plaquette) ou photorépéteurs-balayeurs (scanners) pour le traitement de plaquettes utilisant des méthodes optiques ou à rayon X, et présentant l'une des caractéristiques suivantes: a. | longueur d'onde de la source lumineuse inférieure à 193 nm; ou |
b. | capables de produire des figures dont la dimension de l''élément résoluble minimal' (MRF) est égale ou inférieure à 45 nm; Note technique: La dimension de l''élément résoluble minimal' (MRF) est calculée à l'aide de la formule suivante: 
où le facteur K = 0,35. |
|
2. | équipements de lithographie par impression capables de produire des éléments égaux ou inférieurs à 45 nm; Note: |
L'alinéa 3B001.f.2. inclut: — | les outils d'impression par microcontact; |
— | les outils de gaufrage à chaud; |
— | les outils de lithographie par nanoimpression; |
— | les outils de lithographie par impression step and flash. |
|
|
3. | équipements spécialement conçus pour la production de masques et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | un faisceau électronique, un faisceau ionique ou un faisceau «laser» avec focalisation et balayage du faisceau; et |
b. | présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | ayant une largeur à mi-hauteur (LMH) du spot inférieure à 65 mm et un placement d'image de moins de 17 nm (moyenne + 3 sigma); ou |
3. | erreur de chevauchement pour la deuxième couche inférieure à 23 nm (moyenne + 3 sigma) sur le masque; |
|
|
4. | équipements conçus pour le traitement de dispositifs utilisant des méthodes d'écriture directe et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | un faisceau électronique avec focalisation et balayage du faisceau; et |
b. | présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | une taille minimale du faisceau égale ou inférieure à 15 nm; ou |
2. | une erreur de chevauchement inférieure à 27 nm (moyenne + 3 sigma); |
|
|
|
g. | masques ou réticules conçus pour circuits intégrés visés au paragraphe 3A001; |
h. | masques multicouches comportant une couche à décalage de phase, non visés à l'alinéa 3B001.g. et présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1. | faits sur un masque de «substrat brut» à partir de verre ayant une double réfraction inférieure à 7 nm/cm; ou |
2. | conçus pour être utilisés par un équipement lithographique ayant une longueur d'onde de la source lumineuse inférieure à 245 nm; |
Note: |
L'alinéa 3B001.h. ne vise pas les masques multicouches comportant une couche à décalage de phase conçus pour la fabrication de dispositifs mémoire non visés par le paragraphe 3A001. |
|
i. | gabarits de lithographie par impression conçus pour les circuits intégrés visés au paragraphe 3A001. |
j.
|
masques de "substrat brut" comprenant une structure réfléchissante multicouches en molybdène et silicium, et présentant toutes les caractéristiques suivantes:
|
1.
|
spécialement conçus pour la lithographie par 'rayonnement ultraviolet extrême' ('EUV'); et
|
|
2.
|
respectant la norme P37 de la SEMI.
|
Note technique:
Le 'rayonnement ultraviolet extrême' ('EUV') correspond à un spectre électromagnétique dont les longueurs d’onde sont supérieures à 5 nm et inférieures à 124 nm. |
|
3B002 - Équipements de test spécialement conçus pour le test de dispositifs semi-conducteurs finis ou non finis comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus:
a. | pour le test des paramètres S de transistors à une fréquence supérieure à 31,8 GHz; |
c. | pour le test de circuits intégrés hyperfréquences visés à l'alinéa 3A001.b.2. |
3C - Matières
3C001 - Matériaux hétéro-épitaxiés consistant en un «substrat» comportant des couches multiples empilées obtenues par croissance épitaxiale:
c. | carbure de silicium (SiC); ou |
d. | «composés III/V» de gallium ou d'indium. |
Note: |
L'alinéa 3C001.d. ne vise pas les «substrats» ayant une ou plusieurs couches épitaxiales de type P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP ou InGaAlP, indépendamment de l'ordre des éléments, excepté si la couche épitaxiale de type P se situe entre des couches de type N. |
3C002 - Résines photosensibles (résists), comme suit, et «substrats» revêtus des résines photosensibles suivantes:
a. | résines photosensibles (résists) pour lithographie des semi-conducteurs: 1. | résines photosensibles (résists) positives adaptées (optimisées) pour l'emploi à des longueurs d'onde inférieures à 193 nm; mais égales ou supérieures à 15 nm; |
2. | résines photosensibles (résists) adaptées (optimisées) pour l'emploi à des longueurs d'onde inférieures à 15 nm mais supérieures à 1 nm; |
|
b. | toutes résines photosensibles (résists) destinées à être utilisées sous l'effet de faisceaux électroniques ou ioniques, ayant une sensibilité de 0,01 μcoulomb/mm2 ou meilleure; |
d. | toutes résines photosensibles (résists) optimisées pour des technologies de formation d'images de surface; |
e. | toutes résines photosensibles (résists) conçues ou optimisées pour les équipements de lithographie par impression visés à l'alinéa 3B001.f.2 qui utilisent un procédé soit thermique soit photoréticulable. |
3C003 - Composés organo-inorganiques, comme suit:
a. | composés organométalliques d'aluminium, de gallium et d'indium ayant une pureté (pureté du métal) supérieure à 99,999 %; |
b. | composés organoarséniés, organoantimoniés et organophosphorés ayant une pureté (pureté de l'élément inorganique) supérieure à 99,999 %. |
Note: |
Le paragraphe 3C003 ne vise que des composés dont l'élément métallique, partiellement métallique ou non métallique est lié directement à un carbone de la partie organique de la molécule. |
3C004 - Hydrures de phosphore, d'arsenic ou d'antimoine, ayant une pureté supérieure à 99,999 %, même dilués dans des gaz inertes ou dans l'hydrogène.
Note: |
Le paragraphe 3C004 ne vise pas les hydrures contenant 20 % molaire ou plus de gaz inertes ou d'hydrogène. |
3C005 - Matériaux à haute résistivité, comme suit:
a.
|
"substrats" de semi-conducteurs de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d’aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d’aluminium (AlGaN), ou lingots, boules ou autres préformes de ces matières, ayant une résistivité supérieure à 10 000 ohm-cm à 20 °C;
|
|
b.
|
"substrats" polycristallins ou "substrats" céramiques polycristallins ayant une résistivité supérieure à 10 000 ohm-cm à 20 °C et au moins une couche monocristalline non épitaxiale de silicium (Si), de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d’aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d’aluminium (AlGaN) sur la surface du "substrat". |
3C006 - «Substrats» visés au paragraphe 3C005 comportant au moins une couche épitaxiale de carbure de silicium, de nitrure de gallium, de nitrure d'aluminium ou de nitrure de gallium d'aluminium.
3D - Logiciels
3D001 - «Logiciels» spécialement conçus pour le «développement» ou la «production» des équipements visés aux alinéas 3A001.b. à 3A002.h. ou dans la sous-catégorie 3B.
3D002 - «Logiciels» spécialement conçus pour l'«utilisation» des équipements visés aux alinéas 3B001.a. à f., au paragraphe 3B002 ou 3A225.
3D003 - «Logiciels» de simulation 'basés sur la physique', spécialement conçus pour le «développement» de procédés de lithographie, de gravure et de dépôt pour transformer des figures de masque en figures topographiques spécifiques dans les conducteurs, les diélectriques ou les matériaux semi-conducteurs.
Note technique: Aux fins du paragraphe 3D003, on entend par 'basé sur la physique' le recours à des calculs afin de déterminer une séquence d'événements physiques, impliquant une relation de cause à effet, sur la base de propriétés physiques (par exemple: température, pression, constantes de diffusion et propriétés des matériaux semi-conducteurs).
Note: |
Les bibliothèques, caractéristiques de conception ou données connexes pour la conception de dispositifs semi-conducteurs ou de circuits intégrés sont considérées comme de la «technologie». |
3D004 - «Logiciels» spécialement conçus pour le «développement» des équipements visés au paragraphe 3A003.
3D101 - «Logiciels» spécialement conçus ou modifiés pour l'«utilisation» des équipements visés à l'alinéa 3A101.b.
3D225 - «Logiciels» spécialement conçus pour renforcer ou libérer les performances des changeurs ou générateurs de fréquence afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225.
3E - Technologie
3E001 - «Technologie», au sens de la note générale relative à la technologie, pour le «développement» ou la «production» des équipements ou matériaux visés dans les sous-catégories 3A, 3B ou 3C;
Note 1: |
Le paragraphe 3E001 ne vise pas la «technologie» pour la «production» des dispositifs ou composants visés par le paragraphe 3A003. |
Note 2: |
Le paragraphe 3E001 ne vise pas les «technologies» pour le «développement» ou la «production» des circuits intégrés visés aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.12., présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | faisant appel à une «technologie» de 0,130 μm ou plus; et |
b. | comprenant des structures multicouches composées d'au maximum trois couches métalliques. |
|
Note 3:
|
Le paragraphe 3E001 ne vise pas les 'kits de conception et de simulation de modèles' ('PDK'), sauf s’ils comprennent des bibliothèques exécutant des fonctions ou des technologies destinées aux biens visés au paragraphe 3A001.
Note technique:
Un 'kit de conception et de simulation de modèles' ('PDK') est un outil logiciel fourni par un fabricant de semi-conducteurs afin de faire en sorte que les règles et pratiques de conception nécessaires soient prises en compte pour produire un type particulier de circuit intégré dans un processus spécifique lié à un semi-conducteur, dans le respect des contraintes technologiques et de fabrication (chaque processus de fabrication de semi-conducteurs a son propre 'PDK'). |
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3E002 - «Technologie», au sens de la note générale relative à la technologie, autre que celle visée au paragraphe 3E001, pour le «développement» ou la «production» de noyaux de «microcircuits microprocesseurs», de «microcircuits micro-ordinateurs» ou de microcircuits microcontrôleurs, ayant une largeur d'accès égale ou supérieure à 32 bits et présentant l'un des éléments ou caractéristiques suivants:
a. | une 'unité de traitement vectoriel' conçue pour exécuter simultanément plus de deux calculs sur des vecteurs à virgule flottante (tableaux unidimensionnels de 32 bits ou plus); Note technique: Une 'unité de traitement vectoriel' est un élément de processeur comportant des instructions incorporées exécutant simultanément des calculs multiples sur des vecteurs à virgule flottante (tableaux unidimensionnels de 32 bits ou plus) et ayant au moins une unité arithmétique et logique vectorielle et des registres vectoriels d'au moins 32 éléments chacun. |
b. | conçus pour exécuter plus de quatre opérations en virgule flottante de 64 bits ou plus par cycle; ou |
c. | conçus pour exécuter plus de huit opérations de multiplication-accumulation en virgule fixe de 16 bits par cycle (par exemple: traitement numérique d'information analogique préalablement convertie dans un format numérique, également appelé traitement numérique du signal). |
Note 1: |
Le paragraphe 3E002 ne vise pas la «technologie» des extensions multimédias. |
Note 2: |
Le paragraphe 3E002 ne vise pas la «technologie» destinée au «développement» ou à la «production» de noyaux de microprocesseurs présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. | utilisant une «technologie» de 0,130 μm ou plus; et |
b. | intégrant des structures multicouches comptant au maximum cinq couches métalliques. |
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Note 3: |
Le paragraphe 3E002 vise la «technologie» destinée aux processeurs de signaux numériques et aux processeurs matriciels numériques. |
3E003 - Autres «technologies» pour le «développement» ou la «production» des éléments suivants:
a. | dispositifs micro-électroniques à vide; |
b. | dispositifs électroniques semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux; Note: |
L'alinéa 3E003.b. ne vise pas les «technologies» pour les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz et les transistors hétéro-bipolaires (HBT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz. |
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c. | dispositifs électroniques à «supraconducteurs»; |
d. | substrats de films de diamant pour composants électroniques; |
e. | substrats de silicium sur isolant (SOI) pour circuits intégrés dont l'isolant est le dioxyde de silicium; |
f. | substrats de carbure de silicium pour composants électroniques; |
g. | tubes électroniques à vide fonctionnant à des fréquences égales ou supérieures à 31,8 GHz. |
3E101 - «Technologie», au sens de la note générale relative à la technologie, pour «l'utilisation» des équipements ou «logiciels» visés aux alinéas 3A001.a.1. ou 2., et aux paragraphes 3A101, 3A102 ou 3D101.
3E102 - «Technologie», au sens de la note générale relative à la technologie, pour le «développement» des «logiciels» visés au paragraphe 3D101.
3E201 - «Technologie», au sens de la note générale relative à la technologie, pour «l'utilisation» des équipements visés aux alinéas 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., et aux paragraphes 3A201, 3A225 à 3A234.
3E225 - «Technologie» sous forme de codes ou de clés pour renforcer ou libérer les performances des changeurs ou générateurs de fréquence afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225.
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